功能描述：MOSFET P-CH 30V SOT-623

制造商：on semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：1.43nC @ 10V

Vgs（最大值）：±10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：7.5pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：150mW（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：10.4 欧姆 @ 50mA，4V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：3-SSFP

封装/外壳：SC-81

标准包装：8,000

3LP01SS-TL-H

3LP01S-TL

3LP01S-TL-E

3LP02C

3LP02C-TB-E

3LP02M

3LP02M-TL

3LP02M-TLSOT323-XD

3M 1120 0.5"SQ-250

3M 1120 0.75"SQ-250